今日美國(guó)麻省理工大學(xué)的半導(dǎo)體研究團(tuán)隊(duì)用博蘊(yùn)通管式爐成功開(kāi)發(fā)出一種基于“二硫化鉬的原子級(jí)薄晶體管”，這種晶體管將給飲片帶來(lái)革命性的發(fā)展，毫不客氣的說(shuō)，未來(lái)的芯片將出現(xiàn)顛覆性的變化。

 

但很意外的是，美國(guó)或許又實(shí)現(xiàn)了芯片意義上的一種“0”的突破，甚至《自然》雜志認(rèn)為，這將改寫芯片的歷史。而近日美國(guó)麻省理工大學(xué)的半導(dǎo)體研究團(tuán)隊(duì)成功開(kāi)發(fā)出一種基于“二硫化鉬（MoS2）的原子級(jí)薄晶體管”，這種晶體管將給芯片帶來(lái)革命性的發(fā)展，毫不客氣的說(shuō)，未來(lái)的芯片將出現(xiàn)顛覆性變化。

 

要知道我們傳統(tǒng)的芯片需要由塊狀材料制作，然后通過(guò)不斷的打磨制作成納米級(jí)別的芯片，每個(gè)級(jí)別的芯片都是由多個(gè)晶體管堆疊起來(lái)，但這樣會(huì)帶來(lái)更大的困難。于是不少的科學(xué)家們都朝著用超薄的二維材料制造晶體管，每個(gè)二維材料僅有三個(gè)原子大小，這樣一來(lái)就能實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的芯片。

 

但隨之而來(lái)的問(wèn)題則是將硅放在二硫化鉬晶圓上，需要超過(guò)600攝氏度的高溫才行，而一般的硅晶體和集成電路在400攝氏度就會(huì)出現(xiàn)損壞。因此麻省理工大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)朱佳迪帶領(lǐng)自己的團(tuán)隊(duì)，將低溫生長(zhǎng)區(qū)與高溫硫化物前體分解區(qū)分離，可以通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法，以低于300℃的溫度合成二維材料，并直接在8英寸的二硫化鉬薄膜CMOS晶圓上生長(zhǎng)，無(wú)需任何轉(zhuǎn)移過(guò)程。

這意味著一個(gè)芯片巨大的格局將要被改變，因?yàn)檫@種方法不僅極大的節(jié)省材料，保證芯片的順暢，還能節(jié)約時(shí)間，如果說(shuō)一塊芯片的出現(xiàn)需要進(jìn)行一天時(shí)間的亮化，但使用二硫化鉬（MoS2）的原子級(jí)薄晶體管”所需要的時(shí)間僅需60分鐘左右。

 

可以說(shuō)朱佳迪這位華人科學(xué)家為芯片的革命性突破做出巨大的歷史性貢獻(xiàn)，即便在科研強(qiáng)者如云的麻省理工大學(xué)里，朱佳迪都是以第一學(xué)術(shù)論文主編的身份，甚至他的導(dǎo)師說(shuō)的：朱佳迪的能力，就猶如NBA中的“科比”。

如果朱佳迪團(tuán)隊(duì)的這個(gè)技術(shù)一旦成熟商業(yè)化之后，這意味著以后造芯片，或許可以像建大樓一樣，把二維材料一層層地堆砌上去，將進(jìn)一步把超級(jí)計(jì)算機(jī)、人工智能等帶來(lái)顛覆性變化，都說(shuō)科學(xué)無(wú)國(guó)界，但科學(xué)家卻是有國(guó)界的。

 

當(dāng)看到我們的華人科學(xué)家創(chuàng)造歷史時(shí)，國(guó)人心中多少都有點(diǎn)遺憾，畢竟我們都需要有一個(gè)科學(xué)家能帶領(lǐng)中國(guó)芯片走出當(dāng)前困境，創(chuàng)造歷史。